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    SIT8008BI-11-18E-100.000000E
  • 제조업체 / 브랜드
    SiTime
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    OSC MEMS 100.0000MHZ LVCMOS SMD
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.SIT8008BI-11-18E-100.000000E.pdf
    2.SIT8008BI-11-18E-100.000000E.pdf
  • 전압 - 공급
    1.8V
  • 유형
    XO (Standard)
  • 크기 / 치수
    0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
  • 연속
    SiT8008B
  • 등급
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    4-SMD, No Lead
  • 산출
    HCMOS, LVCMOS
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 높이 - 장착 (최대)
    0.032" (0.80mm)
  • 기능
    Enable/Disable
  • 주파수 안정성
    ±20ppm
  • 회수
    100MHz
  • 상세 설명
    100MHz XO (Standard) HCMOS, LVCMOS Oscillator 1.8V Enable/Disable 4-SMD, No Lead
  • 전류 - 공급 (최대)
    4.1mA
  • 전류 - 공급 (비활성화) (최대)
    4mA
  • 베이스 공진기
    MEMS

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기술: OSC MEMS 100.0000MHZ LVCMOS SMD

제조업체: SiTime
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기술: OSC MEMS 100.0000MHZ LVCMOS SMD

제조업체: SiTime
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SIT8008BCU8-30E

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기술: OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM EN/DS

제조업체: SiTime
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SIT8008BI-11-18E-24.000000E

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기술: OSC MEMS 24.0000MHZ LVCMOS SMD

제조업체: SiTime
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기술: OSC MEMS 25.0000MHZ LVCMOS SMD

제조업체: SiTime
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SIT8008BI-11-18E-25.000000E

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기술: OSC MEMS 25.0000MHZ LVCMOS SMD

제조업체: SiTime
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기술: OSC MEMS 25.000625MHZ LVCMOS SMD

제조업체: SiTime
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SIT8008BI-11-18E-12.288000D

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기술: OSC MEMS 12.2880MHZ LVCMOS SMD

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기술: OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD

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기술: OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V EN/DS

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기술: OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM STBY

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기술: OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V STBY

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기술: OSC MEMS 16.0000MHZ LVCMOS SMD

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기술: OSC MEMS 12.2880MHZ LVCMOS SMD

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SIT8008BCU8-30N

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기술: OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM SMD

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기술: OSC MEMS 12.0000MHZ LVCMOS SMD

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기술: OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM STBY

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기술: OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM SMD

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기술: OSC MEMS 16.0000MHZ LVCMOS SMD

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기술: OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS SMD

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