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SIT8209AI-31-33E-100.005000Y

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  • 제품 모델
    SIT8209AI-31-33E-100.005000Y
  • 제조업체 / 브랜드
    SiTime
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    OSC MEMS 100.0050MHZ LVCMOS TTL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SIT8209AI-31-33E-100.005000Y.pdf
  • 전압 - 공급
    3.3V
  • 유형
    XO (Standard)
  • 크기 / 치수
    0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
  • 연속
    SiT8209
  • 등급
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    4-SMD, No Lead
  • 산출
    LVCMOS, LVTTL
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    5 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 높이 - 장착 (최대)
    0.032" (0.80mm)
  • 기능
    Enable/Disable
  • 주파수 안정성
    ±20ppm
  • 회수
    100.005MHz
  • 상세 설명
    100.005MHz XO (Standard) LVCMOS, LVTTL Oscillator 3.3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead
  • 전류 - 공급 (최대)
    36mA
  • 전류 - 공급 (비활성화) (최대)
    31mA
  • 베이스 공진기
    MEMS

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SIT8209AI-31-33E-101.000000Y

기술: OSC MEMS 101.0000MHZ LVCMOS TTL

제조업체: SiTime
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기술: -40 TO 85C, 5032, 20PPM, 2.8V, 2

제조업체: SiTime
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RFQ
SIT8209AI-31-33E-106.250000X

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기술: -40 TO 85C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

제조업체: SiTime
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기술: OSC MEMS 105.0000MHZ LVCMOS TTL

제조업체: SiTime
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기술: -40 TO 85C, 5032, 20PPM, 2.8V, 9

제조업체: SiTime
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기술: -40 TO 85C, 5032, 20PPM, 2.8V, 9

제조업체: SiTime
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기술: -40 TO 85C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

제조업체: SiTime
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기술: -40 TO 85C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

제조업체: SiTime
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기술: OSC MEMS 100.0500MHZ LVCMOS TTL

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기술: OSC MEMS 105.0000MHZ LVCMOS TTL

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기술: -40 TO 85C, 5032, 20PPM, 2.8V, 2

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기술: OSC MEMS 100.0050MHZ LVCMOS TTL

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기술: OSC MEMS 101.0000MHZ LVCMOS TTL

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기술: OSC MEMS 100.0100MHZ LVCMOS TTL

제조업체: SiTime
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기술: -40 TO 85C, 5032, 20PPM, 2.8V, 9

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기술: OSC MEMS 100.0100MHZ LVCMOS TTL

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기술: -40 TO 85C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

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