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3326070SGNE06C080MT150N25 이미지TDK Corporation

SGNE06C080MT150N25

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유품
15000+
$0.046
30000+
$0.043
75000+
$0.041
105000+
$0.035
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SGNE06C080MT150N25
  • 제조업체 / 브랜드
    TDK Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    VARISTOR 8V 0201
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.SGNE06C080MT150N25.pdf
    2.SGNE06C080MT150N25.pdf
  • ECAD 모델
  • 바리스터 전압 (일반)
    8V
  • 바리스터 전압 (최소)
    6.4V
  • 바리스터 전압 (최대)
    9.6V
  • 연속
    SGNE
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    0201 (0603 Metric)
  • 다른 이름들
    445-174356-2
  • 작동 온도
    -
  • 회로의 수
    1
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 최대 DC 전압
    4.3V
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 에너지
    -
  • 상세 설명
    8V Varistor 1 Circuit Surface Mount 0201 (0603 Metric)
  • 정전 용량 @ 주파수
    15pF @ 1MHz

TDK Expands InvenSense SmartAutomotive Line with New Six-Ax...

2024년11월25일
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지불
다음은 "SGNE06C080MT150N25"관련 제품입니다.
SGNMA3T10002

SGNMA3T10002

기술: CAP TRIMMER 1-10PF 1000V PNL MNT

제조업체: Sprague Goodman
유품
RFQ
SGN08G72G1BE2MT-DCWRT

SGN08G72G1BE2MT-DCWRT

기술: MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SOUDIMM

제조업체: Swissbit
유품
RFQ
SGNM70-10HE

SGNM70-10HE

기술: CAP TRIM 4-70PF 10000V CHAS MNT

제조업체: Sprague Goodman
유품
RFQ
SGN08G72G1BB2SA-DCWRT

SGN08G72G1BB2SA-DCWRT

기술: MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SOUDIMM

제조업체: Swissbit
유품
RFQ
SGNM100-10

SGNM100-10

기술: CAP TRIM 5-100PF 10KV CHAS MNT

제조업체: Sprague Goodman
유품
RFQ
SGN08G64E2BD2SA-DCERT

SGN08G64E2BD2SA-DCERT

기술: MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204-SODIMM

제조업체: Swissbit
유품
RFQ
SGN08G72G1BE2MT-DCERT

SGN08G72G1BE2MT-DCERT

기술: MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SOUDIMM

제조업체: Swissbit
유품
RFQ
SGNE06C270MT6R8G60

SGNE06C270MT6R8G60

기술: VARISTOR 27V 0201

제조업체: TDK Corporation
유품
RFQ
SGN08G64E2BD2SA-DCWRT

SGN08G64E2BD2SA-DCWRT

기술: MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204-SODIMM

제조업체: Swissbit
유품
RFQ
SGN08G72G1BB2SA-DCRT

SGN08G72G1BB2SA-DCRT

기술: MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SOUDIMM

제조업체: Swissbit
유품
RFQ
SGN08G64B3BB2SA-DCWRT

SGN08G64B3BB2SA-DCWRT

기술: MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SODIMM

제조업체: Swissbit
유품
RFQ
SGNM70-10H

SGNM70-10H

기술: CAP TRIM 4-70PF 10000V CHAS MNT

제조업체: Sprague Goodman
유품
RFQ
SGN08G72G2BD2SA-DCWRT

SGN08G72G2BD2SA-DCWRT

기술: MOD DDR3 SDRAM 8GB 204-SOUDIMM

제조업체: Swissbit
유품
RFQ
SGNM100-10E

SGNM100-10E

기술: CAP TRIM 5-100PF 10KV CHAS MNT

제조업체: Sprague Goodman
유품
RFQ
SGNM70-10

SGNM70-10

기술: HIGH VOLTAGE NON-MAGNETIC 70PF 2

제조업체: Sprague Goodman
유품
RFQ
SGNMA3T1000

SGNMA3T1000

기술: CAP TRIMMER 1-10PF 1000V SMD

제조업체: Sprague Goodman
유품
RFQ
SGN08G72G2BE2MT-DCRT

SGN08G72G2BE2MT-DCRT

기술: DDR3 8GB SODIMM

제조업체: Swissbit
유품
RFQ
SGN08G72G2BD2SA-DCRT

SGN08G72G2BD2SA-DCRT

기술: MOD DDR3 SDRAM 8GB 204-SOUDIMM

제조업체: Swissbit
유품
RFQ
SGNMA3T10001

SGNMA3T10001

기술: CAP TRIMMER 1-10PF 1000V PNL MNT

제조업체: Sprague Goodman
유품
RFQ
SGNM70-10E

SGNM70-10E

기술: HIGH VOLTAGE NON-MAGNETIC 70PF 2

제조업체: Sprague Goodman
유품
RFQ
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