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1T6G A0G

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유품
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온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    1T6G A0G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1T6G A0G.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    800V
  • 제조업체 장치 패키지
    TS-1
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Box (TB)
  • 패키지 / 케이스
    T-18, Axial
  • 다른 이름들
    1T6G A0G-ND
    1T6GA0G
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 800V 1A Through Hole TS-1
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 800V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    10pF @ 4V, 1MHz

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다음은 "1T6G A0G"관련 제품입니다.
S5PMS-M3/86A

S5PMS-M3/86A

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1.8A TO277A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N4934

1N4934

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

제조업체: ON Semiconductor
유품
RFQ
1N4935-T

1N4935-T

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
VS-50SQ100G

VS-50SQ100G

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 5A AXIAL

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
RSFMLHRTG

RSFMLHRTG

기술: DIODE GEN PURP 500MA SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

기술: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
HER155-AP

HER155-AP

기술: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO15

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
S21100

S21100

기술: RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
SK515CHR7G

SK515CHR7G

기술: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
JANTXV1N914

JANTXV1N914

기술: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTXV1N5804US

JANTXV1N5804US

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
CR5-010 BK

CR5-010 BK

기술: DIODE GP 5A 100V DO-201AD

제조업체: Central Semiconductor
유품
RFQ
SS3P4LHM3_A/I

SS3P4LHM3_A/I

기술: DIODE SCHOTTKY 40V 3A TO277A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
MBR2150VG-G1

MBR2150VG-G1

기술: DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO15

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
1T6G R0G

1T6G R0G

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
1T6G A1G

1T6G A1G

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
MUR460HB0G

MUR460HB0G

기술: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RDS82580XX

RDS82580XX

기술: DIODE GEN PURP 2.5KV 8000A

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
QH03TZ600

QH03TZ600

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A TO220AC

제조업체: Power Integrations
유품
RFQ
VS-ETU1506-1HM3

VS-ETU1506-1HM3

기술: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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