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BZX55B30 A0G

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  • 제품 모델
    BZX55B30 A0G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE ZENER 30V 500MW DO35
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    BZX55B30 A0G.pdf
  • 전압 - 제너 (공칭) (Vz의)
    30V
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1V @ 100mA
  • 용인
    ±2%
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-35
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    500mW
  • 포장
    Tape & Box (TB)
  • 패키지 / 케이스
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • 다른 이름들
    BZX55B30 A0G-ND
    BZX55B30A0G
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 임피던스 (최대) (Zzt)
    80 Ohms
  • 상세 설명
    Zener Diode 30V 500mW ±2% Through Hole DO-35
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    100nA @ 22V

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BZX55B27-TAP

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기술: DIODE ZENER 27V 500MW DO35

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BZX55B2V4-TR

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기술: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BZX55B2V4 A0G

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기술: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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BZX55B36-TR

BZX55B36-TR

기술: DIODE ZENER 36V 500MW DO35

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
BZX55B30-TR

BZX55B30-TR

기술: DIODE ZENER 30V 500MW DO35

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
BZX55B2V4-TAP

BZX55B2V4-TAP

기술: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
BZX55B27-TR

BZX55B27-TR

기술: DIODE ZENER 27V 500MW DO35

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
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BZX55B36 A0G

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기술: DIODE ZENER 36V 500MW DO35

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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BZX55B33-TAP

BZX55B33-TAP

기술: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BZX55B36-TAP

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기술: DIODE ZENER 36V 500MW DO35

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