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2810311BZX55C51 A0G 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

BZX55C51 A0G

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  • 제품 모델
    BZX55C51 A0G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE ZENER 51V 500MW DO35
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    BZX55C51 A0G.pdf
  • 전압 - 제너 (공칭) (Vz의)
    51V
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1V @ 100mA
  • 용인
    ±5%
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-35
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    500mW
  • 포장
    Tape & Box (TB)
  • 패키지 / 케이스
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • 다른 이름들
    BZX55C51 A0G-ND
    BZX55C51A0G
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 임피던스 (최대) (Zzt)
    125 Ohms
  • 상세 설명
    Zener Diode 51V 500mW ±5% Through Hole DO-35
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    100nA @ 38V

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BZX55C4V3-TR

BZX55C4V3-TR

기술: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BZX55C56

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기술: DIODE ZENER 56V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
BZX55C51_T50A

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기술: DIODE ZENER 51V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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BZX55C4V3_T50R

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기술: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
BZX55C4V7_T50A

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기술: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
BZX55C56-TR

BZX55C56-TR

기술: DIODE ZENER 56V 500MW DO35

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
BZX55C51_T50R

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기술: DIODE ZENER 51V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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BZX55C4V7-TAP

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기술: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
BZX55C4V7-TR

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기술: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BZX55C4V7 A0G

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기술: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

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BZX55C4V7_T50R

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기술: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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BZX55C51-TR

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기술: DIODE ZENER 51V 500MW DO35

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BZX55C51-TAP

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기술: DIODE ZENER 51V 500MW DO35

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BZX55C56-TAP

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BZX55C56 A0G

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BZX55C56_T50R

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BZX55C51

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