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ES1AL RQG

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  • 제품 모델
    ES1AL RQG
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    ES1AL RQG.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    950mV @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    50V
  • 제조업체 장치 패키지
    Sub SMA
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    35ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-219AB
  • 다른 이름들
    ES1AL RQG-ND
    ES1ALRQG
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    21 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount Sub SMA
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 50V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    10pF @ 1V, 1MHz

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ES1ALHRUG

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ES1ALHMHG

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ES1AL RVG

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ES1AL RFG

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

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ES1AL MTG

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
ES1ALHMQG

ES1ALHMQG

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES1ALHRQG

ES1ALHRQG

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
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ES1AHM2G

ES1AHM2G

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
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ES1AL MHG

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES1AHE3_A/I

ES1AHE3_A/I

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES1AL RUG

ES1AL RUG

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES1AHE3_A/H

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES1AL R3G

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

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ES1AL M2G

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

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ES1AL RHG

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

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기술: SERIAL DEVICE SERVER 1-PORT

제조업체: B+B SmartWorx, Inc.
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ES1AL RTG

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