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7069566ES3F M6G 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

ES3F M6G

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규격
  • 제품 모델
    ES3F M6G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    ES3F M6G.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 3A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    300V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AB (SMC)
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    35ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 다른 이름들
    ES3F M6G-ND
    ES3FM6G
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 300V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 300V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    3A
  • VR, F @ 용량
    30pF @ 4V, 1MHz

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ES3F-M3/57T

ES3F-M3/57T

기술: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
ES3FBHM4G

ES3FBHM4G

기술: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ES3DV V6G

ES3DV V6G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ES3F V7G

ES3F V7G

기술: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ES3DVHM6G

ES3DVHM6G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ES3DPX

ES3DPX

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A CFP5

제조업체: Nexperia
유품
RFQ
ES3DHR7G

ES3DHR7G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ES3F V6G

ES3F V6G

기술: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ES3DVHR7G

ES3DVHR7G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ES3F-E3/9AT

ES3F-E3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
ES3F R7G

ES3F R7G

기술: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ES3F-E3/57T

ES3F-E3/57T

기술: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
ES3F-M3/9AT

ES3F-M3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
ES3DV V7G

ES3DV V7G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ES3FB R5G

ES3FB R5G

기술: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ES3DV M6G

ES3DV M6G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ES3FB M4G

ES3FB M4G

기술: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
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ES3DHM6G

ES3DHM6G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES3DHE3_A/I

ES3DHE3_A/I

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
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ES3DV R7G

ES3DV R7G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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