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6050192ESH3C V6G 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

ESH3C V6G

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  • 제품 모델
    ESH3C V6G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    ESH3C V6G.pdf
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    150V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AB (SMC)
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    20ns
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 다른 이름들
    ESH3C V6G-ND
    ESH3CV6G
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 150V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 150V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    3A
  • VR, F @ 용량
    45pF @ 4V, 1MHz

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ESH3C R7G

기술: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ESH3BHE3/57T

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기술: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

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ESH3CHE3/57T

ESH3CHE3/57T

기술: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

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ESH3D M6G

ESH3D M6G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ESH3C M6G

ESH3C M6G

기술: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ESH3C-E3/9AT

ESH3C-E3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
ESH3CHE3/9AT

ESH3CHE3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
ESH3BHE3_A/H

ESH3BHE3_A/H

기술: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
ESH3B-M3/9AT

ESH3B-M3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
ESH3BHE3/9AT

ESH3BHE3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
ESH3C-M3/57T

ESH3C-M3/57T

기술: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ESH3C V7G

ESH3C V7G

기술: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ESH3C-M3/9AT

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기술: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

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ESH3BHE3_A/I

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기술: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

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