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F1T1GHA1G

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  • 제품 모델
    F1T1GHA1G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    F1T1GHA1G.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    50V
  • 제조업체 장치 패키지
    TS-1
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 역 회복 시간 (trr)
    150ns
  • 포장
    Tape & Box (TB)
  • 패키지 / 케이스
    T-18, Axial
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 50V 1A Through Hole TS-1
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 50V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    15pF @ 4V, 1MHz

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F1T2G A1G

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

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F1T3G A0G

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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F1T1GHA0G

F1T1GHA0G

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
F1T3GHA0G

F1T3GHA0G

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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F1T4G A0G

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기술: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

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F1T2G A0G

F1T2G A0G

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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F1T3GHA1G

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F1T1G A1G

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

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F1T3GHR0G

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