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HER307G B0G

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  • 제품 모델
    HER307G B0G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    HER307G B0G.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.7V @ 3A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    800V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-201AD
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    75ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-201AD, Axial
  • 다른 이름들
    HER307G B0G-ND
    HER307GB0G
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 800V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    3A
  • VR, F @ 용량
    35pF @ 4V, 1MHz

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HER308G R0G

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기술: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

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HER306G A0G

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제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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HER307-AP

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기술: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

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기술: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA

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HER306-AP

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기술: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

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HER308GA-G

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA

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HER307GA-G

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기술: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA

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HER308GT-G

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA

제조업체: Comchip Technology
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기술: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AA

제조업체: Comchip Technology
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기술: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

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HER307G R0G

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