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HERAF808G C0G 이미지

TSC (Taiwan Semiconductor)

HERAF808G C0G

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규격

제품 모델

HERAF808G C0G
제조업체 / 브랜드

Taiwan Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

HERAF808G C0G.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1.7V @ 8A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

1000V
제조업체 장치 패키지

ITO-220AC
속도

Fast Recovery = 200mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

80ns
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack
다른 이름들

HERAF808G C0G-ND
HERAF808GC0G
작동 온도 - 정션

-55°C ~ 150°C
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

8 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Standard
상세 설명

Diode Standard 1000V 8A Through Hole ITO-220AC
전류 - 누설 Vr에서 역방향

10µA @ 1000V
전류 - 평균 정류 (Io)

8A
VR, F @ 용량

60pF @ 4V, 1MHz

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기술: DIODE ARRAY GP 800V ITO-220AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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HERAF803G C0G

기술: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC

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HERF1001G C0G

기술: DIODE ARRAY GP 50V 10A ITO-220AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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HERAF806G C0G

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

유품

HERF1007GAHC0G

기술: DIODE, HIGH EFFICIENT

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

유품

HERAF801G C0G

기술: DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

유품

HERAF807G C0G

기술: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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HERF1005G C0G

기술: DIODE ARRAY GP 400V ITO-220AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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HERF1006G C0G

기술: DIODE ARRAY GP 600V ITO-220AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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HERAF1605G C0G

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기술: DIODE ARRAY GP 10A ITO-220AB

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