HS2J M4G

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규격

제품 모델

HS2J M4G
제조업체 / 브랜드

Taiwan Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

HS2J M4G.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1.7V @ 2A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

600V
제조업체 장치 패키지

DO-214AA (SMB)
속도

Fast Recovery = 200mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

75ns
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB
다른 이름들

HS2J M4G-ND
HS2JM4G
작동 온도 - 정션

-55°C ~ 150°C
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

8 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Standard
상세 설명

Diode Standard 600V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
전류 - 누설 Vr에서 역방향

5µA @ 600V
전류 - 평균 정류 (Io)

2A
VR, F @ 용량

30pF @ 4V, 1MHz

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기술: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC

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기술: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

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기술: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

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기술: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

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기술: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

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기술: CONN RCPT FMALE 4POS GOLD

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