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RS1JLHR3G

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규격
  • 제품 모델
    RS1JLHR3G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RS1JLHR3G.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 800mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    Sub SMA
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 역 회복 시간 (trr)
    250ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-219AB
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    21 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    800mA
  • VR, F @ 용량
    10pF @ 4V, 1MHz

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RS1JLHMTG

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RS1JL RTG

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기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

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RS1JL RQG

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기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

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RS1JLHRFG

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RS1JLHRQG

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기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

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RS1JL RHG

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RS1JLHMHG

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제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1JL RUG

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기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1JLHM2G

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기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

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RS1JL RVG

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RS1JLSHRVG

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