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473442S1J R3G 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

S1J R3G

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$0.042
90000+
$0.039
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규격
  • 제품 모델
    S1J R3G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    S1J R3G.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AC (SMA)
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    1.5µs
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AC, SMA
  • 다른 이름들
    S1J R3GTR
    S1J R3GTR-ND
    S1JR3GTR
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    17 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    12pF @ 4V, 1MHz

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S1J

S1J

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
S1JB-13-F

S1JB-13-F

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
S1J M2G

S1J M2G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1JBHR5G

S1JBHR5G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1JA-E3/5AT

S1JA-E3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1JBHM4G

S1JBHM4G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1J-13-F

S1J-13-F

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
S1J-M3/5AT

S1J-M3/5AT

기술: DIODE GPP 1A 600V DO-214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1J-LTP

S1J-LTP

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
S1JB R5G

S1JB R5G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1J-M3/61T

S1J-M3/61T

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1J-13

S1J-13

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
S1JB M4G

S1JB M4G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1J-E3/61T

S1J-E3/61T

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1JBTR

S1JBTR

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

제조업체: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
유품
RFQ
S1JB-13

S1JB-13

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
S1J-E3/5AT

S1J-E3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1J-E3/51T

S1J-E3/51T

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1JA-E3/61T

S1JA-E3/61T

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1JFL

S1JFL

기술: DIODE GP 600V 1A SOD123F

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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