Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > S4J M6G
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
725990S4J M6G 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

S4J M6G

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
6000+
$0.141
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    S4J M6G
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.15V @ 4A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AB (SMC)
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    1.5µs
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 다른 이름들
    S4J M6G-ND
    S4JM6G
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    100µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    4A
  • VR, F @ 용량
    60pF @ 4V, 1MHz
RB751G-40T2R

RB751G-40T2R

기술: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA VMD2

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
S4J R7G

S4J R7G

기술: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
VS-4EWH02FNTRR-M3

VS-4EWH02FNTRR-M3

기술: DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N5291-1

1N5291-1

기술: CURRENT REGULATOR DIODE

제조업체: Microsemi
유품
LSM315GE3/TR13

LSM315GE3/TR13

기술: DIODE SCHOTTKY 15V 3A DO215AB

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5621

JAN1N5621

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RS3DHR7G

RS3DHR7G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S4J V7G

S4J V7G

기술: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
GSXD300A170S2D5

GSXD300A170S2D5

기술: DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
SK520CHR7G

SK520CHR7G

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
BAS34-TR

BAS34-TR

기술: DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
S4J V6G

S4J V6G

기술: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
SR1202HA0G

SR1202HA0G

기술: DIODE SCHOTTKY 20V 12A DO201AD

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RSX205LAM30TFTR

RSX205LAM30TFTR

기술: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
SCHF7500

SCHF7500

기술: DIODE GEN PURP 7.5KV 500MA AXIAL

제조업체: Semtech
유품
VIT3060G-M3/4W

VIT3060G-M3/4W

기술: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO262AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
JANTXV1N5551

JANTXV1N5551

기술: DIODE GEN PURP 400V 5A

제조업체: Microsemi
유품
RS2DHE3_A/I

RS2DHE3_A/I

기술: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
CS2K-E3/I

CS2K-E3/I

기술: DIODE GPP 2A 800V DO-214AA SMB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
VS-72HFR10

VS-72HFR10

기술: DIODE GEN PURP 100V 70A DO203AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오