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6425298S4M V7G 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

S4M V7G

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유품
850+
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21250+
$0.097
42500+
$0.091
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    S4M V7G
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.15V @ 4A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1000V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AB (SMC)
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    1.5µs
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 다른 이름들
    S4M V7GTR
    S4M V7GTR-ND
    S4MV7G
    S4MV7GTR
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    6 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 1000V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 1000V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    4A
  • VR, F @ 용량
    60pF @ 4V, 1MHz
IDB18E120ATMA1

IDB18E120ATMA1

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
VS-80SQ035TR

VS-80SQ035TR

기술: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO204AR

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
S4MF03107SPZQQ1R

S4MF03107SPZQQ1R

기술: IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RS2BA-13-F

RS2BA-13-F

기술: DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
UF4007HB0G

UF4007HB0G

기술: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
1N4934GPHE3/54

1N4934GPHE3/54

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
S4MF06607BSPZQQ1

S4MF06607BSPZQQ1

기술: IC MCU 32BIT 640KB FLASH 100LQFP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
S4MF03107SPZQQ1

S4MF03107SPZQQ1

기술: IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
S4MF04207SPZQQ1

S4MF04207SPZQQ1

기술: IC MCU 32BIT 448KB FLASH 100LQFP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
CD1206-S01575

CD1206-S01575

기술: DIODE GEN PURP 100V 150MA 1206

제조업체: Bourns, Inc.
유품
S4M R7G

S4M R7G

기술: DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
LL101B-GS08

LL101B-GS08

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD80

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
S4M

S4M

기술: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

제조업체: Semtech
유품
S4M M6G

S4M M6G

기술: DIODE GEN PURP 4A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S4M V6G

S4M V6G

기술: DIODE GEN PURP 4A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
VS-SD300N16PC

VS-SD300N16PC

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO9

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
R25140

R25140

기술: RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품
EU02AV1

EU02AV1

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

제조업체: Sanken Electric Co., Ltd.
유품
VS-80APF10-M3

VS-80APF10-M3

기술: DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
62-0253PBF

62-0253PBF

기술: DIODE SHOCTTKY

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품

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