TSM024NA04LCR RLG

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제품 모델

TSM024NA04LCR RLG
제조업체 / 브랜드

Taiwan Semiconductor
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

TSM024NA04LCR RLG.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.5V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

8-PDFN (5x6)
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

2.4 mOhm @ 25A, 10V
전력 소비 (최대)

125W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-PowerTDFN
다른 이름들

TSM024NA04LCR RLGTR
TSM024NA04LCR RLGTR-ND
TSM024NA04LCRRLGTR
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

32 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4224pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

67nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

40V
상세 설명

N-Channel 40V 170A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170A (Tc)

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기술: MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

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기술: MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

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