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2818671TC58NVG3S0FTA00 이미지Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG3S0FTA00

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  • 제품 모델
    TC58NVG3S0FTA00
  • 제조업체 / 브랜드
    Kioxia America, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    TC58NVG3S0FTA00.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    25ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND (SLC)
  • 제조업체 장치 패키지
    48-TSOP I
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 다른 이름들
    TC58NVG3S0FTA00B4H
    TC58NVG3S0FTA00YCJ
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    8Gb (1G x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • 액세스 시간
    25ns

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TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTAI0

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG1S3HTA00

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58NVG2S0HBAI6

TC58NVG2S0HBAI6

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC593002ECBTR

TC593002ECBTR

기술: IC REG LINEAR -3V 80MA SOT23-3

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품
RFQ
TC58NYG1S3HBAI6

TC58NYG1S3HBAI6

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58NVG1S3HBAI6

TC58NVG1S3HBAI6

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC59

TC59

기술: CAP ALUM 50UF 250V AXIAL

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
TC58NVG2S0HTAI0

TC58NVG2S0HTAI0

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4

기술: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC594

TC594

기술: CAP ALUM 200UF 300V AXIAL

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
TC58NVG2S0FTA00

TC58NVG2S0FTA00

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC593

TC593

기술: CAP ALUM 150UF 300V AXIAL

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
TC58NVG2S0HTA00

TC58NVG2S0HTA00

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58NVG1S3ETAI0

TC58NVG1S3ETAI0

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4

기술: 2G NAND SLC 24NM BGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG2S0HBAI4

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC59000001

TC59000001

기술: OSC MEMS 59MHZ 3.3V SMD

제조업체: TXC Corporation
유품
RFQ
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