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3212613TH58NVG5S0FTA20 이미지Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG5S0FTA20

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10+
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288+
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규격
  • 제품 모델
    TH58NVG5S0FTA20
  • 제조업체 / 브랜드
    Kioxia America, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    TH58NVG5S0FTA20.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    25ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND (SLC)
  • 제조업체 장치 패키지
    48-TSOP I
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 다른 이름들
    TH58NVG5S0FTA20B4J
    TH58NVG5S0FTA20BSP
    TH58NVG5S0FTA20YCJ
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    32Gb (4G x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 32Gb (4G x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • 액세스 시간
    25ns

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TH58BVG2S3HTA00

TH58BVG2S3HTA00

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58NVG2S3HTA00

TH58NVG2S3HTA00

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBAI6

기술: IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58NVG5S0FTAK0

TH58NVG5S0FTAK0

기술: 32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4

기술: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00

기술: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58NVG4S0HTAK0

TH58NVG4S0HTAK0

기술: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6

기술: 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

기술: 4G SLC NAND BGA 24NM

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58NVG4S0HTA20

TH58NVG4S0HTA20

기술: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH5E106K021A1000

TH5E106K021A1000

기술: CAP TANT 10UF 21V 10% 2917

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
TH58NVG4S0FTA20

TH58NVG4S0FTA20

기술: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0

기술: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG2S3HTAI0

TH58NVG2S3HTAI0

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

기술: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0

기술: 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4

기술: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4

기술: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
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