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5669507THGBMHG9C8LBAWG 이미지Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C8LBAWG

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  • 제품 모델
    THGBMHG9C8LBAWG
  • 제조업체 / 브랜드
    Kioxia America, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 512G MMC 153WFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.THGBMHG9C8LBAWG.pdf
    2.THGBMHG9C8LBAWG.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 제조업체 장치 패키지
    153-WFBGA (11.5x13)
  • 연속
    e•MMC™
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    153-WFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    512Gb (64G x 8)
  • 메모리 인터페이스
    MMC
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11.5x13)
  • 클럭 주파수
    52MHz

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THGBMHG7C1LBAIL

THGBMHG7C1LBAIL

기술: IC FLASH 128G MMC 153WFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
THGBMHG6C1LBAIL

THGBMHG6C1LBAIL

기술: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
93C86C-I/ST

93C86C-I/ST

기술: IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8TSSOP

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품
RFQ
THGBMHG7C2LBAWR

THGBMHG7C2LBAWR

기술: IC FLASH 128G MMC 153WFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
THG3801C

THG3801C

기술: LED GREEN CLEAR T/H

제조업체: Stanley Electric
유품
RFQ
THG1111C-0005-TR

THG1111C-0005-TR

기술: LED GREEN 1608 SMD

제조업체: Stanley Electric
유품
RFQ
THGBMDG5D1LBAIT

THGBMDG5D1LBAIT

기술: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 153WFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
THGAF8T1T83BAIR

THGAF8T1T83BAIR

기술: IC FLASH 2T UFS 153VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
THGBMHG8C4LBAWR

THGBMHG8C4LBAWR

기술: IC FLASH 256G MMC 153WFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
THGBMHG8C2LBAIL

THGBMHG8C2LBAIL

기술: IC FLASH 256G MMC 153WFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
THG3809X

THG3809X

기술: LED GREEN CLEAR T/H

제조업체: Stanley Electric
유품
RFQ
THGBMHG9C4LBAIR

THGBMHG9C4LBAIR

기술: IC FLASH 512G MMC 153WFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
THGBMHG6C1LBAWL

THGBMHG6C1LBAWL

기술: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
THGAF8G9T43BAIR

THGAF8G9T43BAIR

기술: IC FLASH 512G UFS 153VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
7142LA20JG

7142LA20JG

기술: IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
N25Q008A11EF440F TR

N25Q008A11EF440F TR

기술: IC FLASH 8M SPI 108MHZ UFDFPN

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
S25FL064P0XNFV003M

S25FL064P0XNFV003M

기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
THGAF8G8T23BAIL

THGAF8G8T23BAIL

기술: IC FLASH 256G UFS 153WFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
S34ML02G104BHB013

S34ML02G104BHB013

기술: IC FLASH 2G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
THGAF8T0T43BAIR

THGAF8T0T43BAIR

기술: 128GB VER. 2.1 UFS UNIVERSAL FLA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
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