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2SC2235-Y(T6CN,A,F

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  • 제품 모델
    2SC2235-Y(T6CN,A,F
  • 제조업체 / 브랜드
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    2SC2235-Y(T6CN,A,F.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    120V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    1V @ 50mA, 500mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-92MOD
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    900mW
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • 다른 이름들
    2SC2235-Y(T6CNAF
    2SC2235YT6CNAF
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    120MHz
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    80 @ 100mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    100nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    800mA

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2SC2235-Y(6MBH1,AF

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기술: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
2SC2235-Y(T6ND,AF

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기술: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC2235-Y(T6FJT,FM

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기술: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC2235(T6KMAT,F,M

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기술: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC2235-Y(T6CANOFM

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기술: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

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2SC2235-O(T6ASN,FM

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기술: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

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2SC2235-O(FA1,F,M)

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기술: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

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2SC2235-Y(T6KMATFM

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2SC2235-Y,T6F(J

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기술: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

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2SC2235-Y(T6FJT,AF

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2SC2235-Y(T6OMI,FM

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2SC2235-O(T6FJT,AF

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2SC2235-Y,F(J

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2SC2235-Y(DNSO,AF)

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2SC2235-Y,T6USNF(M

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2SC2235-Y,T6KEHF(M

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