2SJ380(F)

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제품 모델

2SJ380(F)
제조업체 / 브랜드

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.2SJ380(F).pdf
2.2SJ380(F).pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

2V @ 1mA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-220NIS
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

210 mOhm @ 6A, 10V
전력 소비 (최대)

35W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

100V
상세 설명

P-Channel 100V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta)

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