2SK2009TE85LF

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규격

제품 모델

2SK2009TE85LF
제조업체 / 브랜드

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

2SK2009TE85LF.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1.5V @ 100µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

SC-59-3
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

2 Ohm @ 50MA, 2.5V
전력 소비 (최대)

200mW (Ta)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들

2SK2009 (TE85L,F)
2SK2009(TE85L,F)
2SK2009TE85LFTR
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

70pF @ 3V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

N-Channel 30V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA (Ta)

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