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2459160HN1C01FE-Y,LF 이미지Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-Y,LF

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10+
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규격
  • 제품 모델
    HN1C01FE-Y,LF
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    250mV @ 10mA, 100mA
  • 트랜지스터 유형
    2 NPN (Dual)
  • 제조업체 장치 패키지
    ES6
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    100mW
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-563, SOT-666
  • 다른 이름들
    HN1C01FE-Y(T5LFTCT
    HN1C01FE-Y(T5LFTCT-ND
    HN1C01FE-YLFCT
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    80MHz
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    120 @ 2mA, 6V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    100nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    150mA
HN1B04FE-GR,LF

HN1B04FE-GR,LF

기술: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

기술: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1C01FYTE85LF

HN1C01FYTE85LF

기술: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1D01FU,LF

HN1D01FU,LF

기술: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

기술: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

기술: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

기술: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1B01FU-Y(L,F,T)

HN1B01FU-Y(L,F,T)

기술: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

기술: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1B01FU-GR,LF

HN1B01FU-GR,LF

기술: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

기술: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

기술: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

기술: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

기술: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F)

기술: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1D02F(TE85L,F)

HN1D02F(TE85L,F)

기술: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

기술: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

기술: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
HN1D02FU(T5L,F,T)

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기술: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

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