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5852701RN1101CT(TPL3) 이미지Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

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  • 제품 모델
    RN1101CT(TPL3)
  • 제조업체 / 브랜드
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RN1101CT(TPL3).pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    20V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    150mV @ 250µA, 5mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    CST3
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    4.7 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    4.7 kOhms
  • 전력 - 최대
    50mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-101, SOT-883
  • 다른 이름들
    RN1101CT(TPL3)TR
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    30 @ 10mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    50mA

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RN104PJ390CS

RN104PJ390CS

기술: RES ARRAY 4 RES 39 OHM 0804

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RN1101MFV,L3F

RN1101MFV,L3F

기술: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN104PJ472CS

RN104PJ472CS

기술: RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RN104PJ7R5CS

RN104PJ7R5CS

기술: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN104PJ750CS

RN104PJ750CS

기술: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

기술: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN104PJ360CS

RN104PJ360CS

기술: RES ARRAY 4 RES 36 OHM 0804

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RN1102T5LFT

RN1102T5LFT

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN104PJ3R0CS

RN104PJ3R0CS

기술: RES ARRAY 4 RES 3 OHM 0804

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F

기술: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN104PJ620CS

RN104PJ620CS

기술: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN104PJ820CS

RN104PJ820CS

기술: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
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