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4268777RN1106MFV,L3F 이미지Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV,L3F

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규격
  • 제품 모델
    RN1106MFV,L3F
  • 제조업체 / 브랜드
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS NPN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RN1106MFV,L3F.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 500µA, 5mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    VESM
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    47 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    4.7 kOhms
  • 전력 - 최대
    150mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-723
  • 다른 이름들
    RN1106MFV,L3F(B
    RN1106MFV,L3F(T
    RN1106MFVL3F
    RN1106MFVL3F(B
    RN1106MFVL3F(T
    RN1106MFVL3F-ND
    RN1106MFVL3FTR
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    80 @ 10mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA

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RN1108CT(TPL3)

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RN1108(T5L,F,T)

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기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RFQ
RN1106,LF(CT

RN1106,LF(CT

기술: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

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RFQ
RN1104T5LFT

RN1104T5LFT

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1105MFV,L3F

RN1105MFV,L3F

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

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RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1107,LF(CT

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기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1106CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1105CT(TPL3)

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RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

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RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

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RN1109(T5L,F,T)

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RN1106MFV(TL3,T)

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기술: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

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기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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기술: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

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기술: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

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