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RN1422TE85LF

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유품
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규격
  • 제품 모델
    RN1422TE85LF
  • 제조업체 / 브랜드
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RN1422TE85LF.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    250mV @ 1mA, 50mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    S-Mini
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    2.2 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    2.2 kOhms
  • 전력 - 최대
    200mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    RN1422(TE85L,F)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    11 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    300MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    65 @ 100mA, 1V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    800mA
  • 기본 부품 번호
    RN142*

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RN142-1.4-02

RN142-1.4-02

기술: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

기술: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN142-2-02-6M8

RN142-2-02-6M8

기술: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN142-1-02-33M

RN142-1-02-33M

기술: CMC 33MH 1A 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN142GT2R

RN142GT2R

기술: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RN142-2-02

RN142-2-02

기술: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN142-6-02-1M8

RN142-6-02-1M8

기술: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

기술: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN142-6-02

RN142-6-02

기술: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN142VTE-17

RN142VTE-17

기술: DIODE PIN 60V UMD

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

기술: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN142STE61

RN142STE61

기술: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RN142-1.4-02-27M

RN142-1.4-02-27M

기술: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

기술: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN142-4-02

RN142-4-02

기술: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN142-4-02-3M3

RN142-4-02-3M3

기술: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

기술: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN142ZS12ATE61

RN142ZS12ATE61

기술: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RN142ZS8ATE61

RN142ZS8ATE61

기술: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

기술: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
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