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3207653RN1906,LF 이미지Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906,LF

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  • 제품 모델
    RN1906,LF
  • 제조업체 / 브랜드
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RN1906,LF.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 250µA, 5mA
  • 트랜지스터 유형
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 제조업체 장치 패키지
    US6
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    47 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    4.7 kOhms
  • 전력 - 최대
    200mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 다른 이름들
    RN1906LFTR
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    250MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    80 @ 10mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA

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기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1902T5LFT

RN1902T5LFT

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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RN1905FE,LF(CB

RN1905FE,LF(CB

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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RN1906FE,LF(CT

RN1906FE,LF(CT

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1905,LF

RN1905,LF

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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RN1907FE,LF(CB

RN1907FE,LF(CB

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1902FE,LF(CT

RN1902FE,LF(CT

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1905,LF(CT

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기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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RN1907,LF(CT

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기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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RN1905(T5L,F,T)

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기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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RN1909(T5L,F,T)

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RN1909FE(TE85L,F)

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