Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 > RN1964FE(TE85L,F)
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
5132190RN1964FE(TE85L,F) 이미지Toshiba Semiconductor and Storage

RN1964FE(TE85L,F)

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
4000+
$0.07
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    RN1964FE(TE85L,F)
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 250µA, 5mA
  • 트랜지스터 유형
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 제조업체 장치 패키지
    ES6
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    47 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    47 kOhms
  • 전력 - 최대
    100mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-563, SOT-666
  • 다른 이름들
    RN1964FE(TE85LF)TR
    RN1964FETE85LF
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    250MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    80 @ 10mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    100nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1970(TE85L,F)

RN1970(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1970FE(TE85L,F)

RN1970FE(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1969FE(TE85L,F)

RN1969FE(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1968FE(TE85L,F)

RN1968FE(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1968(TE85L,F)

RN1968(TE85L,F)

기술: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오