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6054919RN2110,LF(CB 이미지Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110,LF(CB

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규격
  • 제품 모델
    RN2110,LF(CB
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 250µA, 5mA
  • 트랜지스터 유형
    PNP - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    SSM
  • 연속
    -
  • 저항기 -베이스 (R1)
    4.7 kOhms
  • 전력 - 최대
    100mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-75, SOT-416
  • 다른 이름들
    RN2110(T5L,F,T)
    RN2110(T5LFT)TR
    RN2110(T5LFT)TR-ND
    RN2110,LF(CBTR
    RN2110,LF(CT
    RN2110LF(CBTR
    RN2110LF(CTTR
    RN2110LF(CTTR-ND
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    200MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    120 @ 1mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    100nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA
RN2109MFV,L3F

RN2109MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2107CT(TPL3)

RN2107CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2110ACT(TPL3)

RN2110ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2108(T5L,F,T)

RN2108(T5L,F,T)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2112,LF(CT

RN2112,LF(CT

기술: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2110MFV,L3F

RN2110MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2111ACT(TPL3)

RN2111ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2109CT(TPL3)

RN2109CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2111,LF(CB

RN2111,LF(CB

기술: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2110CT(TPL3)

RN2110CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2108MFV,L3F

RN2108MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2108ACT(TPL3)

RN2108ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2109ACT(TPL3)

RN2109ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2111CT(TPL3)

RN2111CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2112CT(TPL3)

RN2112CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2107ACT(TPL3)

RN2107ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN2108CT(TPL3)

RN2108CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2107MFV,L3F

RN2107MFV,L3F

기술: TRANS PREBIAS NPN

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