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5159984RN2116,LF(CT 이미지Toshiba Semiconductor and Storage

RN2116,LF(CT

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유품
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규격
  • 제품 모델
    RN2116,LF(CT
  • 제조업체 / 브랜드
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RN2116,LF(CT.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 250µA, 5mA
  • 트랜지스터 유형
    PNP - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    SSM
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    10 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    4.7 kOhms
  • 전력 - 최대
    100mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-75, SOT-416
  • 다른 이름들
    RN2116(T5L,F,T)
    RN2116(T5LFT)TR
    RN2116(T5LFT)TR-ND
    RN2116,LF(CB
    RN2116,LF(CTTR
    RN2116LF(CBTR
    RN2116LF(CBTR-ND
    RN2116LF(CTTR
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    200MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    50 @ 10mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA

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RN212-0.4-02-27M

RN212-0.4-02-27M

기술: CMC 27MH 400MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN2112,LF(CT

RN2112,LF(CT

기술: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN2118(T5L,F,T)

RN2118(T5L,F,T)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN212-0.5-02-15M

RN212-0.5-02-15M

기술: CMC 15MH 500MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN2113CT(TPL3)

RN2113CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN212-0.5-02

RN212-0.5-02

기술: CMC 27MH 500MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN2114MFV,L3F

RN2114MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN2115,LF(CB

RN2115,LF(CB

기술: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN2117MFV,L3F

RN2117MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN2114(TE85L,F)

RN2114(TE85L,F)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN2115MFV,L3F

RN2115MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2117(T5L,F,T)

RN2117(T5L,F,T)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2112CT(TPL3)

RN2112CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2118MFV(TPL3)

RN2118MFV(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RFQ
RN2119MFV(TPL3)

RN2119MFV(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM

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RN212-0.4-02

RN212-0.4-02

기술: CMC 39MH 400MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
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RN212-0.4-02-39M

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기술: CMC 39MH 400MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
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