Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > TK20V60W,LVQ
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1738799TK20V60W,LVQ 이미지Toshiba Semiconductor and Storage

TK20V60W,LVQ

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$6.25
10+
$5.582
100+
$4.577
500+
$3.706
1000+
$3.126
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    TK20V60W,LVQ
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.7V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    4-DFN-EP (8x8)
  • 연속
    DTMOSIV
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    170 mOhm @ 10A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    156W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    4-VSFN Exposed Pad
  • 다른 이름들
    TK20V60WLVQCT
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1680pF @ 300V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    Super Junction
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 20A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    20A (Ta)
TK2205800000G

TK2205800000G

기술: 500 TB WIR PRO 180D SOL

제조업체: Anytek (Amphenol Anytek)
유품
TK20S04K3L(T6L1,NQ

TK20S04K3L(T6L1,NQ

기술: MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
TK20V60W5,LVQ

TK20V60W5,LVQ

기술: MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
TK20S06K3L(T6L1,NQ

TK20S06K3L(T6L1,NQ

기술: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
TK20PR500JE

TK20PR500JE

기술: RES 0.5 OHM 20W 5% TO220

제조업체: Ohmite
유품
TK25A60X5,S5X

TK25A60X5,S5X

기술: MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
TK20P7K50JE

TK20P7K50JE

기술: RES 7.5K OHM 20W 5% TO220

제조업체: Ohmite
유품
TK20P75R0JE

TK20P75R0JE

기술: RES 75 OHM 20W 5% TO220

제조업체: Ohmite
유품
TK2105800000G

TK2105800000G

기술: 500 TB WIR PRO 180D SOL

제조업체: Anytek (Amphenol Anytek)
유품
TK20PR300JE

TK20PR300JE

기술: RES 0.3 OHM 20W 5% TO220

제조업체: Ohmite
유품
TK22E10N1,S1X

TK22E10N1,S1X

기술: MOSFET N CH 100V 52A TO220

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
TK20PR050JE

TK20PR050JE

기술: RES 0.05 OHM 20W 5% TO220

제조업체: Ohmite
유품
TK20PR040JE

TK20PR040JE

기술: RES 0.04 OHM 20W 5% TO220

제조업체: Ohmite
유품
TK2323

TK2323

기술: MRO TAPE KIT - PREMIUM

제조업체: 3M
유품
TK25A60X,S5X

TK25A60X,S5X

기술: MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
TK2405800000G

TK2405800000G

기술: 500 TB WIR PRO 180D SOL

제조업체: Anytek (Amphenol Anytek)
유품
TK20PR030JE

TK20PR030JE

기술: RES 0.03 OHM 20W 5% TO220

제조업체: Ohmite
유품
TK2305800000G

TK2305800000G

기술: 500 TB WIR PRO 180D SOL

제조업체: Anytek (Amphenol Anytek)
유품
TK20P5R00JE

TK20P5R00JE

기술: RES 5 OHM 20W 5% TO220

제조업체: Ohmite
유품
TK22A10N1,S4X

TK22A10N1,S4X

기술: MOSFET N-CH 100V 52A TO-220

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오