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TPC8109(TE12L)

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  • 제품 모델
    TPC8109(TE12L)
  • 제조업체 / 브랜드
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    1.TPC8109(TE12L).pdf
    2.TPC8109(TE12L).pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOP (5.5x6.0)
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    20 mOhm @ 5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1W (Ta)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 다른 이름들
    TPC8109CT
    TPC8109TE12L
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2260pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    P-Channel 30V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
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TPC8048-H(TE12L,Q)

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TPC8129,LQ(S

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TPC8132,LQ(S

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TPC8134,LQ(S

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TPC8062-H,LQ(CM

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제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC8113(TE12L,Q)

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TPC8125,LQ(S

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기술: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC8092,LQ(S

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TPC8038-H(TE12L,Q)

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TPC8042(TE12L,Q,M)

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TPC8126,LQ(CM

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기술: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

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TPC8115(TE12L,Q,M)

TPC8115(TE12L,Q,M)

기술: MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
TPC8051-H(TE12L,Q)

TPC8051-H(TE12L,Q)

기술: MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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