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4164627TPN3300ANH,LQ 이미지Toshiba Semiconductor and Storage

TPN3300ANH,LQ

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유품
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10+
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100+
$0.752
500+
$0.557
1000+
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규격
  • 제품 모델
    TPN3300ANH,LQ
  • 제조업체 / 브랜드
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    TPN3300ANH,LQ.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 100µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • 연속
    U-MOSVIII-H
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    33 mOhm @ 4.7A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    700mW (Ta), 27W (Tc)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerVDFN
  • 다른 이름들
    TPN3300ANHLQDKR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    880pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 9.4A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    9.4A (Tc)

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TPN22006NH,LQ

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기술: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

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TPN1R603PL,L1Q

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