TPD3215M

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규격

제품 모델

TPD3215M
제조업체 / 브랜드

Transphorm
재고 수량

유품
기술

CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

TPD3215M.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

-
제조업체 장치 패키지

Module
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

34 mOhm @ 30A, 8V
전력 - 최대

470W
포장

Bulk
패키지 / 케이스

Module
다른 이름들

TPH3215M
TPH3215M-ND
작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2260pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 8V
FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징

GaNFET (Gallium Nitride)
소스 전압에 드레인 (Vdss)

600V
상세 설명

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

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다음은 "TPD3215M"관련 제품입니다.

TPD2S701QDSKRQ1

기술:

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments

유품

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