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20439288EWS10STRL 이미지Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

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  • 제품 모델
    8EWS10STRL
  • 제조업체 / 브랜드
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    8EWS10STRL.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    8A
  • 전압 - 파괴
    D-PAK (TO-252AA)
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Tape & Reel (TR)
  • 역 회복 시간 (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    8EWS10STRL
  • 확장 설명
    Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • 다이오드 구성
    50µA @ 1000V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.1V @ 8A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    1000V (1kV)
  • VR, F @ 용량
    -55°C ~ 150°C

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기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 8A DPAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK

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8EWS08STRL

8EWS08STRL

기술: DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
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8EWS12STRL

8EWS12STRL

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
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RFQ
8EWS10S

8EWS10S

기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
8EWS08STRR

8EWS08STRR

기술: DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
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8EWS08S

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기술: DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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8EWF04S

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기술: DIODE GEN PURP 400V 8A DPAK

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기술: DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
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기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

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기술: DIODE GEN PURP 400V 8A DPAK

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK

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