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6496788BYM11-50-E3/96 이미지Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-50-E3/96

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  • 제품 모델
    BYM11-50-E3/96
  • 제조업체 / 브랜드
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.BYM11-50-E3/96.pdf
    2.BYM11-50-E3/96.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1A
  • 전압 - 파괴
    DO-213AB
  • 연속
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS 상태
    Tape & Reel (TR)
  • 역 회복 시간 (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    15pF @ 4V, 1MHz
  • 편광
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • 작동 온도 - 정션
    150ns
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    21 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    BYM11-50-E3/96
  • 확장 설명
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-213AB
  • 다이오드 구성
    5µA @ 50V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.3V @ 1A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    50V
  • VR, F @ 용량
    -65°C ~ 175°C

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYM11-800HE3/96

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기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYM11-100HE3/97

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYM11-400-E3/97

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기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYM11-50-E3/97

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYM11-200HE3/97

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기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYM11-200HE3/96

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기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

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유품
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BYM11-50HE3/96

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

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BYM11-400HE3/96

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기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

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BYM11-600-E3/97

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

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