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67097BZD27B56P-HE3-08 이미지Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B56P-HE3-08

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  • 제품 모델
    BZD27B56P-HE3-08
  • 제조업체 / 브랜드
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    BZD27B56P-HE3-08.pdf
  • 전압 - 분리
    60 Ohm
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101, BZD27B
  • 전력 - 최대
    800mW
  • 편광
    DO-219AB
  • 작동 온도
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    BZD27B56P-HE3-08
  • 임피던스 (최대) (Zzt)
    56V
  • 확장 설명
    Zener Diode 800mW Surface Mount
  • ESR (등가 직렬 저항)
    -
  • 다이오드 구성
    1µA @ 43V
  • 기술
    DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.2V @ 200mA

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기술: DIODE ZENER 5.1V 0.8W DO-219AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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기술: DIODE ZENER 5.1V 0.8W DO-219AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
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기술: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

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기술: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BZD27B56P-M3-18

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기술: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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기술: DIODE ZENER 5.1V 0.8W DO-219AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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기술: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BZD27B51P-E3-18

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기술: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

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기술: DIODE ZENER 5.1V 0.8W DO-219AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
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기술: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
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RFQ
BZD27B56P-E3-18

BZD27B56P-E3-18

기술: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

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기술: DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB

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기술: DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB

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기술: DIODE ZENER 5.6V 0.8W DO-219AB

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기술: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

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기술: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

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기술: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

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기술: DIODE ZENER 5.1V 0.8W DO-219AB

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