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3806685GL41B-E3/96 이미지Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41B-E3/96

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  • 제품 모델
    GL41B-E3/96
  • 제조업체 / 브랜드
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.GL41B-E3/96.pdf
    2.GL41B-E3/96.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1A
  • 전압 - 파괴
    DO-213AB
  • 연속
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS 상태
    Cut Tape (CT)
  • 역 회복 시간 (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    8pF @ 4V, 1MHz
  • 편광
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • 다른 이름들
    GL41B-E3/96GICT
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    GL41B-E3/96
  • 확장 설명
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-213AB
  • 다이오드 구성
    10µA @ 100V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.1V @ 1A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    100V
  • VR, F @ 용량
    -65°C ~ 175°C

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GL41D/54

GL41D/54

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41A/54

GL41A/54

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41B-E3/97

GL41B-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41G-E3/96

GL41G-E3/96

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL4100E0000F

GL4100E0000F

기술: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GL41AHE3/97

GL41AHE3/97

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41BHE3/96

GL41BHE3/96

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41AHE3/96

GL41AHE3/96

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41G-E3/97

GL41G-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41D-E3/96

GL41D-E3/96

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41D-E3/97

GL41D-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41BHE3/97

GL41BHE3/97

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41G/54

GL41G/54

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL4100

GL4100

기술: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GL41GHE3/96

GL41GHE3/96

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41DHE3/96

GL41DHE3/96

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41B/54

GL41B/54

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41DHE3/97

GL41DHE3/97

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
GL41A-E3/97

GL41A-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
GL41A-E3/96

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
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