S2MHE3_A/I

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제품 모델

S2MHE3_A/I
제조업체 / 브랜드

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

S2MHE3_A/I.pdf
전압 - 피크 역 (최대)

Standard
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1.5A
전압 - 파괴

DO-214AA (SMB)
연속

-
RoHS 상태

Tape & Reel (TR)
역 회복 시간 (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
만약, F @ 저항

16pF @ 4V, 1MHz
편광

DO-214AA, SMB
작동 온도 - 정션

2µs
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

26 Weeks
제조업체 부품 번호

S2MHE3_A/I
확장 설명

Diode Standard 1000V (1kV) 1.5A Surface Mount DO-214AA (SMB)
다이오드 구성

1µA @ 1000V
기술

DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
전류 - 누설 Vr에서 역방향

1.15V @ 1.5A
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)

1000V (1kV)
VR, F @ 용량

-55°C ~ 150°C

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMA

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기술: DIODE GEN PURP 2A DO214AA

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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