VS-1N1183R

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제품 모델

VS-1N1183R
제조업체 / 브랜드

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

VS-1N1183R.pdf
전압 - 피크 역 (최대)

Standard
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

35A
전압 - 파괴

DO-203AB
연속

-
RoHS 상태

Bulk
역 회복 시간 (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
만약, F @ 저항

-
편광

DO-203AB, DO-5, Stud
다른 이름들

*1N1183R
1N1183R
1N1183R-ND
실장 형

Chassis, Stud Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

13 Weeks
제조업체 부품 번호

VS-1N1183R
확장 설명

Diode Standard 50V 35A Chassis, Stud Mount DO-203AB
다이오드 구성

10mA @ 50V
기술

DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB
전류 - 누설 Vr에서 역방향

1.7V @ 110A
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)

50V
VR, F @ 용량

-65°C ~ 190°C

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기술: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB

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기술: RECTIFIER BRIDGE 600V 1.5A D-38

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

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기술: DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB

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