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4009389VS-MURB820-1PBF 이미지Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB820-1PBF

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  • 제품 모델
    VS-MURB820-1PBF
  • 제조업체 / 브랜드
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE FRED 8A 200V TO-262
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    VS-MURB820-1PBF.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    8A
  • 전압 - 파괴
    TO-262AA
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
  • RoHS 상태
    Tube
  • 역 회복 시간 (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • 다른 이름들
    VSMURB8201PBF
  • 작동 온도 - 정션
    20ns
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    7 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    VS-MURB820-1PBF
  • 확장 설명
    Diode Standard 200V 8A Through Hole TO-262AA
  • 다이오드 구성
    5µA @ 200V
  • 기술
    DIODE FRED 8A 200V TO-262
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    975mV @ 8A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    200V
  • VR, F @ 용량
    -65°C ~ 175°C

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기술: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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VS-MURB820TRR-M3

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기술: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
VS-MURB820PBF

VS-MURB820PBF

기술: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
VS-MURB820-1-M3

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기술: DIODE GEN PURP 200V 8A TO262AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
VS-MURB820TRLHM3

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기술: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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VS-MURB2020CTHM3

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기술: DIODE STANDARD 200V 10A D2PAK

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VS-MURB820HM3

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기술: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263

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VS-MURB820-M3

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기술: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

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RFQ
VS-MURB820TRL-M3

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기술: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

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VS-MURB2020CTL-M3

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VS-MURB2020CTLHM3

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VS-MURB2020CTRHM3

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VS-MURB820TRRHM3

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VS-MURB2020CTTRLP

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