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244466BYR29X-800,127 이미지WeEn Semiconductors Co., Ltd

BYR29X-800,127

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  • 제품 모델
    BYR29X-800,127
  • 제조업체 / 브랜드
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    BYR29X-800,127.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.7V @ 8A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    800V
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220FP
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    75ns
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
  • 다른 이름들
    1740-1421
    568-8342-5
    568-8342-5-ND
    934063152127
    BYR29X-800,127-ND
    BYR29X800127
  • 작동 온도 - 정션
    150°C (Max)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 800V 8A Through Hole TO-220FP
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 800V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    8A
  • VR, F @ 용량
    -
  • 기본 부품 번호
    BYR29-800

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1N4001GP-M3/54

1N4001GP-M3/54

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
123NQ080

123NQ080

기술: DIODE SCHOTTKY 80V 120A D-67

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
ZLLS2000TA

ZLLS2000TA

기술: DIODE SCHOTTKY 40V 2.2A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
1N4002

1N4002

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

제조업체: ON Semiconductor
유품
RFQ
S1FLJ-M-08

S1FLJ-M-08

기술: DIODE GP 600V 700MA DO219AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
FES8ATHE3/45

FES8ATHE3/45

기술: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
FS1M-TP

FS1M-TP

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
BYR29X-600,127

BYR29X-600,127

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

제조업체: WeEn Semiconductors Co., Ltd
유품
RFQ
BYR5D-1200PJ

BYR5D-1200PJ

기술: BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M

제조업체: WeEn Semiconductors Co., Ltd
유품
RFQ
1N3889R

1N3889R

기술: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
RSFMLHRUG

RSFMLHRUG

기술: DIODE GEN PURP 500MA SUB SMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
BYR29-600,127

BYR29-600,127

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

제조업체: WeEn Semiconductors Co., Ltd
유품
RFQ
BAS21HMFHT116

BAS21HMFHT116

기술: DIODE GEN PURP 200V 200MA SSD3

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
S2G M4G

S2G M4G

기술: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
BYR29-800,127

BYR29-800,127

기술: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

제조업체: WeEn Semiconductors Co., Ltd
유품
RFQ
VS-3EJH02HM3/6B

VS-3EJH02HM3/6B

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
VS-307U250

VS-307U250

기술: DIODE GEN PURP 2.5KV 300A DO9

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SR515HB0G

SR515HB0G

기술: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO201AD

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
CD214B-B350LF

CD214B-B350LF

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA

제조업체: Bourns, Inc.
유품
RFQ
US1JE-TP

US1JE-TP

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
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