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SemiQ

SemiQ

소개

SemiQ 2007 년에 설립 된 Global Power Technologies Group, Inc. (이하 "GPTG")는 SiC (Silicon Carbide) 기술을 기반으로하는 제품에 전념 한 통합 개발 및 제조 회사입니다. 이 제품들은 저비용, 고효율 전력 생산, 변환 및 전송을 위해 첨단 기술이 필요한 미래의 전력 전자 및 에너지 산업의 기초가 될 것입니다.

관련 뉴스

범주
7
제품 센터
373

이산 반도체 제품

GP2M008A060FG

GP2M008A060FG

기술: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD050A006S1-D3

GSXD050A006S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M016A025PG

GP1M016A025PG

기술: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M020A050F

GP2M020A050F

기술: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M005A050H

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기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS030A060S-D1E

GHXS030A060S-D1E

기술: MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M010A060FH

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기술: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M009A060H

GP1M009A060H

기술: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M013A050H

GP1M013A050H

기술: MOSFET N-CH 500V 13A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS040A060S-A2

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기술: IGBT BUCK CHOP 600V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D030A120B

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기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M007A080F

GP2M007A080F

기술: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M010A060H

GP2M010A060H

기술: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS040A060S-A1

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기술: IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M008A025PG

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기술: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A065HG

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기술: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD080A012S1-D3

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기술: DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M007A065CG

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기술: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
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GHIS030A060B2P2

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기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
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GSXD060A008S1-D3

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기술: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
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GSID150A120S6A4

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기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
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GP1M010A080H

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기술: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
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GP2D003A065C

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기술: DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2

제조업체: Global Power Technologies Group
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GSXF060A120S1-D3

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기술: DIODE FAST REC 1200V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
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GP2D015A120B

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기술: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GPA020A120MN-FD

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기술: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
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GSXD160A008S1-D3

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기술: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M008A060HG

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기술: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A050PG

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기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP60Z120E

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기술: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GPA040A120L-ND

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기술: IGBT 1200V 80A 455W TO264

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M009A020CG

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기술: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP60P120B

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기술: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

기술: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS030A120S-D1

GHXS030A120S-D1

기술: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M005A050PH

GP1M005A050PH

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS060A120S-A1

GHIS060A120S-A1

기술: IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
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GSXF030A100S1-D3

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기술: DIODE FAST REC 1000V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M010A060F

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기술: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS040A120S-A2

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기술: IGBT BUCK CHOP 1200V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M004A090FH

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기술: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD030A010S1-D3

GSXD030A010S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP30D120B

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기술: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GCMS040A120B3C1

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기술: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY

제조업체: Global Power Technologies Group
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GP1M010A080N

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기술: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
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GSXD160A012S1-D3

GSXD160A012S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M006A070FH

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기술: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M009A050HS

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기술: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
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GP1M007A090H

GP1M007A090H

기술: MOSFET N-CH 900V 7A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
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GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

기술: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
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