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2113413GP1M007A090H 이미지Global Power Technologies Group

GP1M007A090H

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규격
  • 제품 모델
    GP1M007A090H
  • 제조업체 / 브랜드
    SemiQ
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 900V 7A TO220
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    GP1M007A090H.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    250W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 다른 이름들
    1560-1165-1
    1560-1165-1-ND
    1560-1165-5
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1969pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    49nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    900V
  • 상세 설명
    N-Channel 900V 7A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    7A (Tc)

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GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

기술: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M005A050PH

GP1M005A050PH

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M008A050FG

GP1M008A050FG

기술: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M006A065PH

GP1M006A065PH

기술: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M006A065FH

GP1M006A065FH

기술: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M006A070FH

GP1M006A070FH

기술: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

기술: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

기술: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M006A065F

GP1M006A065F

기술: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

기술: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

기술: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

기술: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M007A090FH

GP1M007A090FH

기술: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

기술: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
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GP1M008A080H

GP1M008A080H

기술: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

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GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

기술: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

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GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

기술: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

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GP1M008A025CG

GP1M008A025CG

기술: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

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GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

기술: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

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GP1M006A070F

GP1M006A070F

기술: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

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