기술: DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: IGBT MODULE 1200V 285A
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE FAST REC 400V 30A SOT227
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: IGBT MODULE 1200V 335A
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: SCHOTTKY DIODE 600V 20A TO-247-2
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE FAST REC 200V 120A SOT227
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE SCHOTTKY 60V 240A SOT227
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
제조업체: Global Power Technologies Group
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