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GP1M003A040CG

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  • 제품 모델
    GP1M003A040CG
  • 제조업체 / 브랜드
    SemiQ
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    GP1M003A040CG.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    D-Pak
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    3.4 Ohm @ 1A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    30W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    210pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    3.7nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    400V
  • 상세 설명
    N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    2A (Tc)

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GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

기술: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1FSV51TKVF

GP1FSV51TKVF

기술: OPTOELECTRONIC COMPONENT

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GP1FSV51TK0F

GP1FSV51TK0F

기술: OPTOELECTRONIC COMPONENT

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

기술: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1L52V

GP1L52V

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

기술: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1FSV51TKMF

GP1FSV51TKMF

기술: OPTOELECTRONIC COMPONENT

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

기술: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1L53V

GP1L53V

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GP1FSB31TKMF

GP1FSB31TKMF

기술: OPTOELECTRONIC COMPONENT

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

기술: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

기술: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

기술: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

기술: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1FSV31TK0F

GP1FSV31TK0F

기술: OPTOELECTRONIC COMPONENT

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GP1L57

GP1L57

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
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