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4232750GP1L52VJ000F 이미지Sharp Microelectronics

GP1L52VJ000F

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  • 제품 모델
    GP1L52VJ000F
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    35V
  • 유형
    Unamplified
  • 연속
    -
  • 감지 방법
    Transmissive
  • 감지 거리
    0.118" (3mm)
  • 응답 시간
    80µs, 70µs
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    PCB Mount
  • 출력 구성
    Photodarlington
  • 다른 이름들
    425-2781
    GP1L52VJ000F-ND
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    Optical Sensor Transmissive 0.118" (3mm) Photodarlington PCB Mount
  • 전류 - DC 순방향 (If) (최대)
    50mA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    40mA
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1FSV51TK0F

GP1FSV51TK0F

기술: OPTOELECTRONIC COMPONENT

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

기술: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

기술: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1FSV31TK0F

GP1FSV31TK0F

기술: OPTOELECTRONIC COMPONENT

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1FSV51TKMF

GP1FSV51TKMF

기술: OPTOELECTRONIC COMPONENT

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1L52V

GP1L52V

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1FSB31TKMF

GP1FSB31TKMF

기술: OPTOELECTRONIC COMPONENT

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1FSB31TK0F

GP1FSB31TK0F

기술: OPTOELECTRONIC COMPONENT

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

기술: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

기술: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1FSV51TKVF

GP1FSV51TKVF

기술: OPTOELECTRONIC COMPONENT

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1FP514TK0F

GP1FP514TK0F

기술: TRANSMITTER COMBOJACK

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

기술: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1FP513TK0F

GP1FP513TK0F

기술: TRANSMITTER FIBER OPTIC 13.2MBPS

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1L57

GP1L57

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1L53V

GP1L53V

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품

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