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GP1M003A080H

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  • 제품 모델
    GP1M003A080H
  • 제조업체 / 브랜드
    SemiQ
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    GP1M003A080H.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    94W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    696pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    800V
  • 상세 설명
    N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    3A (Tc)

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GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M004A090H

GP1M004A090H

기술: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

기술: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

기술: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M005A040CG

GP1M005A040CG

기술: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

기술: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

기술: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1L53V

GP1L53V

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

기술: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

기술: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP1M005A050FH

GP1M005A050FH

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GP1L57

GP1L57

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
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GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

기술: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
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GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

기술: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
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GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
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GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

기술: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
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GP1M003A080FH

기술: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
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